NJVBDX53C

NJVBDX53C



Производитель:


ON Semiconductor
Описание:
TRANS DARL NPN 8A 100V TO-220AB
Категория:
Discrete Semiconductor Products
Корпус:
--
Год:
--

Datasheet (Техническое описание) NJVBDX53C

Поиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su


Посмотреть все характеристики
Technical/Catalog InformationNJVBDX53C
VendorON Semiconductor
CategoryDiscrete Semiconductor Products
Transistor TypeNPN - Darlington
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
Current - Collector (Ic) (Max)8A
Power - Max65W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 3A, 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2V @ 12mA, 3A
Frequency - Transition-
Current - Collector Cutoff (Max)500??A
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3 (Straight Leads)
PackagingTube
Lead Free StatusContains Lead
RoHS StatusRoHS Non-Compliant
Other Names NJVBDX53C
NJVBDX53C


 
Похожие микросхемы: