NJD35N04G

NJD35N04G



Производитель:


ON Semiconductor
Описание:
TRANS DARL NPN 4A 350V DPAK
Категория:
Discrete Semiconductor Products
Корпус:
7850
Год:
ON

Datasheet (Техническое описание) NJD35N04G

Поиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su


Посмотреть все характеристики
Technical/Catalog InformationNJD35N04G
VendorON Semiconductor
CategoryDiscrete Semiconductor Products
Transistor TypeNPN - Darlington
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)350V
Current - Collector (Ic) (Max)4A
Power - Max45W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce2000 @ 2A, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 20mA, 2A
Frequency - Transition90MHz
Current - Collector Cutoff (Max)50??A
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseDPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab)
PackagingTube
Lead Free StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Other Names NJD35N04G
NJD35N04G


 
Похожие микросхемы:


NJD35N04T4G
TRANS DARL NPN 4A 350V DPAK
NJD2873T4
TRANS PWR NPN 2A 50V BIPO DPAK
NJD2873RL
TRANS PWR NPN 2A 50V BIPO DPAK
NJD2873
TRANS PWR NPN 2A 50V BIPO DPAK