QS8J1TR

QS8J1TR



Производитель:

Rohm Semiconductor
Описание:
 MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8
Категория:
 Discrete Semiconductor Products
Корпус:
 --
Год:
 --

Datasheet (Техническое описание) QS8J1TR

Поиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su


Посмотреть все характеристики
Technical/Catalog InformationQS8J1TR
VendorRohm Semiconductor
CategoryDiscrete Semiconductor Products
Mounting TypeSurface Mount
FET Polarity2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2450pF @ 6V
Power - Max1.25W
PackagingTape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) @ Vgs31nC @ 4.5V
Package / Case*
FET FeatureLogic Level Gate
Drawing Number*
Lead Free StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Other Names QS8J1TR
QS8J1TR


 
Похожие микросхемы: