IXBT42N170A




Производитель:

IXYS
Описание:
 IC TRANS BIPO 42A 1700V TO-268
Категория:
 Discrete Semiconductor Products
Корпус:
 7850
Год:
 IXYS

Datasheet (Техническое описание) IXBT42N170A

Поиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su


Посмотреть все характеристики
Technical/Catalog InformationIXBT42N170A
VendorIXYS
CategoryDiscrete Semiconductor Products
Input TypeStandard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1700V
Current - Collector (Ic) (Max)42A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic6V @ 15V, 21A
Power - Max350W
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-268
PackagingTube
Lead Free StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Other Names IXBT42N170A
IXBT42N170A
IXBT42N170A ND
IXBT42N170A ND
IXBT42N170A


 
Похожие микросхемы:


IXBT6N170
IC TRANS BIPO 1700V 12A TO-268
IXBT16N170A
TRANSISTOR NON 10A 1.7KV TO-268
IXBT10N170
IC TRANS BIPO 20A 1700V TO-268
IXBR42N170
MOSFET N-CH 1700V 32A ISOPLUS247
IXBP5N160G
IC TRANS BIPO 1600V 5.7A TO-247A
IXBOD1-42R
IC DIODE MODULE BOD 0.7A 4200V
IXBOD1-40R
IC DIODE MODULE BOD 0.7A 4000V
IXBOD1-38R
IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3800V
IXBOD1-36R
IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3600V
IXBOD1-34R
IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3400V
IXBOD1-32RD
IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3200V
IXBOD1-32R
IC DIODE MODULE BOD 0.9A 3200V
IXBOD1-30RD
IC DIODE MODULE BOD 0.2A 3000V
IXBOD1-30R
IC DIODE MODULE BOD 0.9A 3000V
IXBOD1-28RD
IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2800V
IXBOD1-28R
IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2800V
IXBOD1-26RD
IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2600V
IXBOD1-26R
IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2600V