GT25Q102(Q)




Производитель:

Toshiba
Описание:
 IGBT 1200V 25A TO-3P LH
Категория:
 Discrete Semiconductor Products
Корпус:
 --
Год:
 --

Datasheet (Техническое описание) GT25Q102(Q)

Поиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su


Посмотреть все характеристики
Technical/Catalog InformationGT25Q102(Q)
VendorToshiba
CategoryDiscrete Semiconductor Products
Input TypeStandard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Current - Collector (Ic) (Max)25A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 25A
Power - Max200W
Mounting TypeThrough Hole
Package / Case*
PackagingTube
Lead Free StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Other Names GT25Q102 Q
GT25Q102Q


 
Похожие микросхемы:


GT25Q301(Q)
IGBT DUAL 1200V 25A TO-3P LH
GT21MV3BE
SWITCH TOGGLE DPDT VERT MNT .4VA
GT21MSCBE
SWITCH TOGGLE DPDT SMD .4VA
GT21MCBE
SWITCH TOGGLE DPDT VERT MNT .4VA
GT21MAVBE
SWITCH TOGGLE DPDT VERT R/A .4VA
GT21MABE
SWITCH TOGGLE DPDT HORZ R/A .4VA
GT20J321(Q)
IGBT DUAL 600V 20A TO-220