RDN100N20FU6

RDN100N20FU6



Производитель:

Rohm Semiconductor
Описание:
 MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Категория:
 Discrete Semiconductor Products
Корпус:
 --
Год:
 --

Datasheet (Техническое описание) RDN100N20FU6

Поиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su


Посмотреть все характеристики
Technical/Catalog InformationRDN100N20FU6
VendorRohm Semiconductor
CategoryDiscrete Semiconductor Products
Mounting TypeThrough Hole
FET PolarityN-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs360 mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 543pF @ 10V
Power - Max35W
PackagingBulk
Gate Charge (Qg) @ Vgs30nC @ 10V
Package / CaseTO-220FN-3 (Straight Leads)
FET FeatureStandard
Drawing Number*
Lead Free StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Other Names RDN100N20FU6
RDN100N20FU6


 
Похожие микросхемы:


RDN150N20FU6
MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
RDN120N25FU6
MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
RDN080N25FU6
MOSFET N-CH 250V 8A T0-220FN
RDN080N25
MOSFET N-CH 250V 8A TO-220FN
RDN050N20FU6
MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
RDN050N20
MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN